Numéro de produit du fabricant:
TSM260P02CX6 RFG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM260P02CX6 RFG-DG
Description:
MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Inventaire:
23257 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897651
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SOUMETTRE
TSM260P02CX6 RFG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1670 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-26
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Numéro de produit de base
TSM260
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TSM260P02CX6 RFGCT
TSM260P02CX6RFGCT
TSM260P02CX6RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-DG
TSM260P02CX6 RFGDKR
TSM260P02CX6RFGDKR
TSM260P02CX6 RFGCT-DG
TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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